目前有相當(dāng)多的方法可以用來評估分批式注入機(jī)的雜質(zhì)顆粒水平。在我們的案例中，通過每周三次用KLA 的SP1機(jī)臺對控片的雜質(zhì)顆粒增加進(jìn)行檢測，該控片用來測量不同摻雜離子的表面電阻。同時，在氬氣氛中進(jìn)行離子注入的17片整批晶圓也以相同的頻率每隔一天進(jìn)行監(jiān)控。使用氬氣氛的好處包括可以減少不同注入離子間的交*污染和降低氣體使用的成本。這種雙重監(jiān)控方案允許我們獲得多重注入源的變化情況，包括不同天之間，不同種類的離子之間以及不同片之間的注入波動情況。這樣的監(jiān)控結(jié)果允許我們對大部分（即便不是全部）的標(biāo)準(zhǔn)工藝過程中涉及到相關(guān)因素進(jìn)行詳細(xì)的分析。

　　對分批式注入機(jī)中多種離子交替作用引起的失效進(jìn)行的分析是困難的。一種辦法是使用“分離并鑒別”的方法，先認(rèn)定在實(shí)際注入過程或晶圓轉(zhuǎn)移過程中是否有雜質(zhì)顆粒進(jìn)入。在異常處理（troubleshooting）的初始階段需要先建立以無離子束注入時的情況作為基準(zhǔn)。對于無離子束失效的情況，下一步是檢測晶圓傳輸裝置或者將該系統(tǒng)中的部件分離出來，如機(jī)械手、對準(zhǔn)器、升降機(jī)等，一直到雜質(zhì)顆粒源被發(fā)現(xiàn)為止。另外，將雜質(zhì)顆粒在晶圓上的分布圖與每片晶圓在傳輸過程傳輸部件的接觸點(diǎn)的位置進(jìn)行比較。通過大量有重復(fù)性的失效可以得到晶圓的失效分布圖或者得到與根本原因（rootcause）相關(guān)的“信息”。

　　邊緣圖形失效
　　在低能量分批式注入機(jī)（200mm）觀察到的一個晶圓圖，如圖1所示。為了強(qiáng)調(diào)這種標(biāo)記效應(yīng)，我們將不同次失效的圖形按照同樣的邊緣圖形對齊合成為一個綜合的失效分布圖。這個綜合分布圖包含68片晶圓的情況，其中每個批次共注入17片晶圓。在所有單個晶圓中，這種邊緣圖形的標(biāo)記效應(yīng)都是很不明顯的，就像在圖1的矩形條圖表中顯示的那樣。這種圖形一般從每個批次第4片晶圓上開始出現(xiàn)，逐漸地增長到第17片晶圓，呈現(xiàn)了zui多數(shù)目的雜質(zhì)顆粒。對于那些只檢查一片晶圓來決定雜質(zhì)顆粒情況的那些晶圓廠（例如每個批次的第1片）可能不會發(fā)現(xiàn)這類問題的存在。